Hersteller Produktnummer:
RN1103ACT(TPL3)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN1103ACT(TPL3)-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Inventar:
12890660
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Menge
Mindestens 1
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86H6
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RN1103ACT(TPL3) Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
80 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
22 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
100 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-101, SOT-883
Gerätepaket für Lieferanten
CST3
Basis-Produktnummer
RN1103
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
RN1103ACT(TPL3)CT
RN1103ACT(TPL3)DKR
RN1103ACT(TPL3)TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RN1103MFV,L3F
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
254
TEILNUMMER
RN1103MFV,L3F-DG
Einheitspreis
0.06
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