Hersteller Produktnummer:
HN1C03FU-B,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
HN1C03FU-B,LF-DG
Beschreibung:
NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 200mW Surface Mount US6
Inventar:
5728 Stück Neu Original Auf Lager
12890344
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HN1C03FU-B,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
300mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
20V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
100mV @ 3mA, 30A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
350 @ 4mA, 2V
Leistung - Max
200mW
Frequenz - Übergang
30MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
US6
Basis-Produktnummer
HN1C03
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
HN1C03FU-B,LF(B
HN1C03FU-B,LF(T
HN1C03FU-BLFDKR
HN1C03FU-BLFTR
HN1C03FU-BLFCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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