Hersteller Produktnummer:
HN1B04FE-GR,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
HN1B04FE-GR,LF-DG
Beschreibung:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventar:
7833 Stück Neu Original Auf Lager
12890431
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HN1B04FE-GR,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN, PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Leistung - Max
100mW
Frequenz - Übergang
80MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
ES6
Basis-Produktnummer
HN1B04
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
HN1B04FE-GR(5L,F,T
HN1B04FE-GRLFDKR
HN1B04FE-GR(5LFTTR
HN1B04FEGRLFTR
HN1B04FE-GR,LF(T
HN1B04FEGRLFTR-DG
HN1B04FE-GRLFCT
HN1B04FE-GRLF(TTR-DG
HN1B04FE-GRLF(TCT
HN1B04FE-GR(5LFTCT
HN1B04FE-GR(5LFTDKR-DG
HN1B04FE-GR,LF(B
HN1B04FE-GRLF(TCT-DG
HN1B04FE-GRLFTR
HN1B04FE-GR(5LFTDKR
HN1B04FE-GRLF(TDKR-DG
HN1B04FE-GRLF(TTR
HN1B04FE-GRLF(TDKR
HN1B04FE-GR(5LFTTR-DG
HN1B04FE-GR(5LFTCT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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