HN2A01FU-Y(TE85L,F
Hersteller Produktnummer:

HN2A01FU-Y(TE85L,F

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

HN2A01FU-Y(TE85L,F-DG

Beschreibung:

TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6

Inventar:

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HN2A01FU-Y(TE85L,F Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Cut Tape (CT)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 PNP (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Leistung - Max
200mW
Frequenz - Übergang
80MHz
Betriebstemperatur
125°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
US6
Basis-Produktnummer
HN2A01

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
HN2A01FU-Y(TE85LFCT
HN2A01FU-Y(TE85LFDKR
HN2A01FU-Y(TE85LFTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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