Hersteller Produktnummer:
2SD1221-Y(Q)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SD1221-Y(Q)-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 60V 3A PW-MOLD
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 3MHz 1 W Surface Mount PW-MOLD
Inventar:
12949766
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2SD1221-Y(Q) Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1V @ 300mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 5V
Leistung - Max
1 W
Frequenz - Übergang
3MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket für Lieferanten
PW-MOLD
Basis-Produktnummer
2SD1221
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
200
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
2SD1802T-TL-E
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
1187
TEILNUMMER
2SD1802T-TL-E-DG
Einheitspreis
0.38
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