TMBT3906,LM
Hersteller Produktnummer:

TMBT3906,LM

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

TMBT3906,LM-DG

Beschreibung:

TRANS PNP 50V 0.15A SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 150 mA 250MHz 320 mW Surface Mount SOT-23-3

Inventar:

20337 Stück Neu Original Auf Lager
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TMBT3906,LM Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 1V
Leistung - Max
320 mW
Frequenz - Übergang
250MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Basis-Produktnummer
TMBT3906

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
TMBT3906LM
TMBT3906,LM(B
TMBT3906,LM(T
TMBT3906LMCT
TMBT3906LMDKR
TMBT3906LMTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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