Hersteller Produktnummer:
2SC6076(TE16L1,NV)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SC6076(TE16L1,NV)-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 80V 3A PW-MOLD
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 3 A 150MHz 10 W Surface Mount PW-MOLD
Inventar:
12889979
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2SC6076(TE16L1,NV) Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
180 @ 500mA, 2V
Leistung - Max
10 W
Frequenz - Übergang
150MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket für Lieferanten
PW-MOLD
Basis-Produktnummer
2SC6076
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
2SC6076(TE16L1NV)-DG
2SC6076(TE16L1NV)TR
2SC6076TE16L1NV
2SC6076(TE16L1NV)
2SC6076 (TE16L1,NV)
2SC6076(TE16L1NV)INACTIVE
2SC6076(TE16L1NV)DKR
2SC6076(TE16L1NV)CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
MJD243T4G
HERSTELLER
onsemi
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TEILNUMMER
MJD243T4G-DG
Einheitspreis
0.22
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