Hersteller Produktnummer:
2SC3138-Y(TE85L,F)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SC3138-Y(TE85L,F)-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 200V 0.05A TO236
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 50 mA 100MHz 150 mW Surface Mount TO-236
Inventar:
12890664
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2SC3138-Y(TE85L,F) Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
50 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
200 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 10mA, 3V
Leistung - Max
150 mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
125°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236
Basis-Produktnummer
2SC3138
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2SC3138-Y(TE85LF)TR
2SC3138-Y(TE85LF)DKR
2SC3138-Y(TE85LF)CT
2SC3138-YTE85LF
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
FMMT458TA
HERSTELLER
Diodes Incorporated
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TEILNUMMER
FMMT458TA-DG
Einheitspreis
0.09
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