Hersteller Produktnummer:
2SA1721RTE85LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SA1721RTE85LF-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 300V 0.1A SMINI
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 100 mA 50MHz 150 mW Surface Mount S-Mini
Inventar:
12890669
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2SA1721RTE85LF Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
300 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 2mA, 20mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 10V
Leistung - Max
150 mW
Frequenz - Übergang
50MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
S-Mini
Basis-Produktnummer
2SA1721
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2SA1721RTE85LFTR
2SA1721RTE85LFCT
2SA1721RTE85LFDKR
2SA1721-R(TE85L,F)
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
MMBTA92,215
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
33678
TEILNUMMER
MMBTA92,215-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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