Hersteller Produktnummer:
2SC5171,MATUDQ(J
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SC5171,MATUDQ(J-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 180V 2A TO220NIS
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventar:
12890688
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2SC5171,MATUDQ(J Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
180 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
5µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Leistung - Max
2 W
Frequenz - Übergang
200MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220NIS
Basis-Produktnummer
2SC5171
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
2SC5171MATUDQJ
2SC5171MATUDQ(J
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
2SC4381
HERSTELLER
Sanken Electric USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
2SC4381-DG
Einheitspreis
0.67
ERSATZART
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