Hersteller Produktnummer:
STP25NM60ND
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STP25NM60ND-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12879899
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STP25NM60ND Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
FDmesh™ II
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2400 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
160W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP25N
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
497-8446-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK17E65W,S1X
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
12
TEILNUMMER
TK17E65W,S1X-DG
Einheitspreis
1.35
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