Hersteller Produktnummer:
TK17E65W,S1X
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK17E65W,S1X-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 17.3A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
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TK17E65W,S1X Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
DTMOSIV
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 8.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 900µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1800 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
165W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
TK17E65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
TK17E65W,S1X(S
TK17E65WS1X
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FCP165N60E
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
1200
TEILNUMMER
FCP165N60E-DG
Einheitspreis
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