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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
FCP22N60N
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCP22N60N-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
157 Stück Neu Original Auf Lager
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FCP22N60N Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
SupreMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±45V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1950 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
205W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FCP22N60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
FCP22N60N
HTML-Datenblatt
FCP22N60N-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
2156-FCP22N60N-OS
ONSONSFCP22N60N
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NTP165N65S3H
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
523
TEILNUMMER
NTP165N65S3H-DG
Einheitspreis
1.81
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Teilenummer
STP28N60M2
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STP28N60M2-DG
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