STP10NM60ND
Hersteller Produktnummer:

STP10NM60ND

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STP10NM60ND-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 8A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220

Inventar:

631 Stück Neu Original Auf Lager
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STP10NM60ND Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
FDmesh™ II
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
577 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
70W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP10

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
497-12276
-497-12276

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
SPP07N60C3XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
SPP07N60C3XKSA1-DG
Einheitspreis
1.02
ERSATZART
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IPP80R600P7XKSA1
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