Hersteller Produktnummer:
STW26N65DM2
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STW26N65DM2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
12873398
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STW26N65DM2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
MDmesh™ DM2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1480 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
170W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
STW26
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
600
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FCH190N65F-F155
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
415
TEILNUMMER
FCH190N65F-F155-DG
Einheitspreis
2.95
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