IXTP8N70X2
Hersteller Produktnummer:

IXTP8N70X2

Product Overview

Hersteller:

IXYS

Teilenummer:

IXTP8N70X2-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 700V 8A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 700 V 8A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

28 Stück Neu Original Auf Lager
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IXTP8N70X2 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Ultra X2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
800 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IXTP8

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
-IXTP8N70X2

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
STP13N80K5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
312
TEILNUMMER
STP13N80K5-DG
Einheitspreis
1.60
ERSATZART
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Teilenummer
STP11N60DM2
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STP11N60DM2-DG
Einheitspreis
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