Hersteller Produktnummer:
2SC2271E-AE
Product Overview
Hersteller:
Sanyo
Teilenummer:
2SC2271E-AE-DG
Beschreibung:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 50MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Inventar:
6824 Stück Neu Original Auf Lager
12941616
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2SC2271E-AE Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
300 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
600mV @ 2mA, 20mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 10V
Leistung - Max
900 mW
Frequenz - Übergang
50MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gerätepaket für Lieferanten
3-MP
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,323
Andere Namen
ONSSNY2SC2271E-AE
2156-2SC2271E-AE
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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