Hersteller Produktnummer:
2SC3599E
Product Overview
Hersteller:
Sanyo
Teilenummer:
2SC3599E-DG
Beschreibung:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 300 mA 500MHz 1.2 W Through Hole TO-126
Inventar:
4405 Stück Neu Original Auf Lager
12941634
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2SC3599E Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
300 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
120 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
600mV @ 7mA, 70mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 10V
Leistung - Max
1.2 W
Frequenz - Übergang
500MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-126
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
460
Andere Namen
ONSSNY2SC3599E
2156-2SC3599E
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
2SC3595D
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
2SC4455Q-AA
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
2SC2463DETL-E
0.1A, 40V
