Hersteller Produktnummer:
2SC3708T-AA
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SC3708T-AA-DG
Beschreibung:
0.5A, 80V, NPN
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 120MHz 600 mW Through Hole 3-NP
Inventar:
40500 Stück Neu Original Auf Lager
12941625
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2SC3708T-AA Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 40mA, 400mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 50mA, 5V
Leistung - Max
600 mW
Frequenz - Übergang
120MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket für Lieferanten
3-NP
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,567
Andere Namen
2156-2SC3708T-AA
ONSONS2SC3708T-AA
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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