SCT3022ALGC11
Hersteller Produktnummer:

SCT3022ALGC11

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

SCT3022ALGC11-DG

Beschreibung:

SICFET N-CH 650V 93A TO247N
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 93A (Tc) 339W (Tc) Through Hole TO-247N

Inventar:

1695 Stück Neu Original Auf Lager
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SCT3022ALGC11 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
93A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
28.6mOhm @ 36A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
5.6V @ 18.2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
133 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2208 pF @ 500 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
339W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247N
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
SCT3022

Datenblatt & Dokumente

Zuverlässigkeit Dokumente
MOS-3GTHD Reliability Test
Design-Ressourcen
TO-247N Inner Structure
Datenblätter
SCT3022ALGC11 TO-247N Taping Spec

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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