Hersteller Produktnummer:
RT1A045APTCR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RT1A045APTCR-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 12V 4.5A 8TSST
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 12 V 4.5A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Inventar:
13527013
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RT1A045APTCR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 4.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
-8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4200 pF @ 6 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
650mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSST
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Basis-Produktnummer
RT1A045
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zuverlässigkeit Dokumente
Design-Ressourcen
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RT1A045APTCRDKR
RT1A045APTCRCT
RT1A045APTCRTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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