RSD201N10TL
Hersteller Produktnummer:

RSD201N10TL

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

RSD201N10TL-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3

Inventar:

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13527009
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RSD201N10TL Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
46mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2100 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
CPT3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
RSD201

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
RSD201N10

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
RSD201N10TLDKR
RSD201N10TLCT
RSD201N10TLTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
PJD25N10A_L2_00001
HERSTELLER
Panjit International Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
2803
TEILNUMMER
PJD25N10A_L2_00001-DG
Einheitspreis
0.22
ERSATZART
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certification_01
certification_02
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cr
certification_015
certification_08
esd
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