SCT2120AFC
Hersteller Produktnummer:

SCT2120AFC

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

SCT2120AFC-DG

Beschreibung:

SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

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SCT2120AFC Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
156mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 3.3mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1200 pF @ 500 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
165W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
SCT2120

Datenblatt & Dokumente

Zuverlässigkeit Dokumente
MOS-2GTHD Reliability Test
Datenblätter
SCT2120AFC TO-220AB Taping Spec

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
SCT2120AFCU

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IPP65R190E6XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
580
TEILNUMMER
IPP65R190E6XKSA1-DG
Einheitspreis
1.52
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certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
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esd
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