Hersteller Produktnummer:
RRH100P03TB1
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RRH100P03TB1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 10A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventar:
13526961
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RRH100P03TB1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12.6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3600 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
650mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
RRH100
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
RRH100P03TB1CT
RRH100P03TB1TR
RRH100P03TB1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDS6675BZ
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
14563
TEILNUMMER
FDS6675BZ-DG
Einheitspreis
0.27
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