Hersteller Produktnummer:
RSQ020N03TR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RSQ020N03TR-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Inventar:
2469 Stück Neu Original Auf Lager
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RSQ020N03TR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
134mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.1 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
110 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
600mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TSMT6 (SC-95)
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer
RSQ020
Datenblatt & Dokumente
Zuverlässigkeit Dokumente
Design-Ressourcen
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RSQ020N03DKR
RSQ020N03CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI3424BDV-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
2445
TEILNUMMER
SI3424BDV-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.16
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