Hersteller Produktnummer:
RP1L055SNTR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RP1L055SNTR-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 5.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
Inventar:
13526949
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Menge
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RP1L055SNTR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
49mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
730 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
MPT6
Paket / Koffer
6-SMD, Flat Leads
Basis-Produktnummer
RP1L055
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
RP1L055SNTRCT
RP1L055SNDKR
RP1L055SNCT
RP1L055SNTRCT-ND
RP1L055SNTRDKR-ND
RP1L055SNTRDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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