Hersteller Produktnummer:
R8006KND3TL1
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
R8006KND3TL1-DG
Beschreibung:
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 6A (Ta) 83W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventar:
1440 Stück Neu Original Auf Lager
12975338
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
R8006KND3TL1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
650 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
R8006
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
846-R8006KND3TL1DKR
846-R8006KND3TL1TR
846-R8006KND3TL1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
RS3E130ATTB1
PCH -30V -13A POWER MOSFET : RS3
MSJB17N80-TP
N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
IV1Q12050T4
SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
