MSJB17N80-TP
Hersteller Produktnummer:

MSJB17N80-TP

Product Overview

Hersteller:

Micro Commercial Co

Teilenummer:

MSJB17N80-TP-DG

Beschreibung:

N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 181W Surface Mount D2PAK

Inventar:

719 Stück Neu Original Auf Lager
12975352
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

MSJB17N80-TP Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Micro Commercial Components (MCC)
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1830 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
181W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
MSJB17

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
800
Andere Namen
353-MSJB17N80-TPTR
353-MSJB17N80-TPCT
353-MSJB17N80-TPDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
inventchip-technology

IV1Q12050T4

SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247

nexperia

PH5830DLX

MOSFET N-CH 30V LFPAK

onsemi

FDT3612-SN00151

MOSFET N-CH 100V SOT223