Hersteller Produktnummer:
IV1Q12050T4
Product Overview
Hersteller:
Inventchip
Teilenummer:
IV1Q12050T4-DG
Beschreibung:
SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 58A (Tc) 344W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventar:
12975354
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IV1Q12050T4 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Inventchip Technology
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
3.2V @ 6mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2750 pF @ 800 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
344W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-4
Paket / Koffer
TO-247-4
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
4084-IV1Q12050T4
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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