Hersteller Produktnummer:
R6018ANJTL
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
R6018ANJTL-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventar:
13526151
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R6018ANJTL Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2050 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
LPTS
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
R6018
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK14G65W,RQ
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
3525
TEILNUMMER
TK14G65W,RQ-DG
Einheitspreis
0.93
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