RAL025P01TCR
Hersteller Produktnummer:

RAL025P01TCR

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

RAL025P01TCR-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 12 V 2.5A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT6

Inventar:

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RAL025P01TCR Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
62mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
-8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2000 pF @ 6 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
320mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TUMT6
Paket / Koffer
6-SMD, Flat Leads
Basis-Produktnummer
RAL025

Datenblatt & Dokumente

Zuverlässigkeit Dokumente
TUMT6 MOS Reliability Test
Datenblätter
RAL025P01TCR TUMT6 TR Taping Spec

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RAL025P01TCRTR
RAL025P01TCRDKR
RAL025P01TCRCT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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