Hersteller Produktnummer:
R6007ENX
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
R6007ENX-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventar:
129 Stück Neu Original Auf Lager
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R6007ENX Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
620mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
390 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220FM
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
R6007
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
R6007ENXCT-ND
R6007ENXCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPAN65R650CEXKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
462
TEILNUMMER
IPAN65R650CEXKSA1-DG
Einheitspreis
0.43
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