Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
DR Kongo
Argentinien
Turkei
Rumänien
Litauen
Norwegen
Österreich
Angola
Slowakei
ltaly
Finnland
Belarus
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Montenegro
Russisch
Belgien
Schweden
Serbien
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Republik Moldau
Deutschland
Niederlande
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankreich
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Portugal
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
R6076MNZ1C9
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
R6076MNZ1C9-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 76A (Tc) 740W (Tc) Through Hole TO-247
Inventar:
Angebot Anfrage Online
13524412
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
R6076MNZ1C9 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
740W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
R6076
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
R6076MNZ1
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
450
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFX80N60P3
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
3
TEILNUMMER
IXFX80N60P3-DG
Einheitspreis
11.27
ERSATZART
Similar
Teilenummer
STW65N65DM2AG
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
393
TEILNUMMER
STW65N65DM2AG-DG
Einheitspreis
5.65
ERSATZART
Similar
Teilenummer
STW56N60M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
31
TEILNUMMER
STW56N60M2-DG
Einheitspreis
4.61
ERSATZART
Similar
Teilenummer
STY60NM60
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
STY60NM60-DG
Einheitspreis
13.47
ERSATZART
Similar
Teilenummer
STW57N65M5-4
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
33
TEILNUMMER
STW57N65M5-4-DG
Einheitspreis
6.48
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
RS1E321GNTB1
MOSFET N-CH 30V 32A/80A 8HSOP
RD3H160SPFRATL
MOSFET P-CH 45V 16A TO252
R6047ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 47A TO247
RSS125N03FU6TB
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP