Hersteller Produktnummer:
IXTP4N70X2M
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTP4N70X2M-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 700V 4A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 700 V 4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Inventar:
24 Stück Neu Original Auf Lager
12820827
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IXTP4N70X2M Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Ultra X2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
386 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220 Isolated Tab
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis-Produktnummer
IXTP4
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
IXTP4N70X2M-DG
-1402-IXTP4N70X2M
238-IXTP4N70X2M
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK6A60W,S4VX
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
45
TEILNUMMER
TK6A60W,S4VX-DG
Einheitspreis
0.84
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