Hersteller Produktnummer:
R6004JNXC7G
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
R6004JNXC7G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventar:
851 Stück Neu Original Auf Lager
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R6004JNXC7G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.43Ohm @ 2A, 15V
vgs(th) (max.) @ id
7V @ 450µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 15 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
260 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220FM
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
R6004
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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