Hersteller Produktnummer:
IMB2AT110
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
IMB2AT110-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Inventar:
2680 Stück Neu Original Auf Lager
13080728
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IMB2AT110 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Hersteller
Rohm Semiconductor
Reihe
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
47kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
300mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-74, SOT-457
Gerätepaket für Lieferanten
SMT6
Basis-Produktnummer
IMB2
Datenblatt & Dokumente
Design-Ressourcen
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
IMB2AT110TR
SMT6/SC-74/SOT-457
IMB2AT110-ND
846-IMB2AT110TR
IMB2AT110CT
IMB2AT110DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IMB2AT110
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2680
TEILNUMMER
IMB2AT110-DG
Einheitspreis
0.08
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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