Hersteller Produktnummer:
IMH21T110
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
IMH21T110-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 20V 600mA 150MHz 300mW Surface Mount SMT6
Inventar:
2902 Stück Neu Original Auf Lager
13080730
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IMH21T110 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Hersteller
Rohm Semiconductor
Reihe
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
20V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
820 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
150MHz
Leistung - Max
300mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-74, SOT-457
Gerätepaket für Lieferanten
SMT6
Basis-Produktnummer
IMH21
Datenblatt & Dokumente
Design-Ressourcen
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
846-IMH21T110DKR
IMH21T110TR
IMH21T110-ND
846-IMH21T110TR
IMH21T110CT
846-IMH21T110CT
IMH21T110DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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