DTC143ECAT116
Hersteller Produktnummer:

DTC143ECAT116

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

DTC143ECAT116-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SST3

Inventar:

41 Stück Neu Original Auf Lager
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DTC143ECAT116 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SST3
Basis-Produktnummer
DTC143

Datenblatt & Dokumente

Zuverlässigkeit Dokumente
SST3 DTR Reliability Test
Design-Ressourcen
SST3M Inner Structure
Datenblätter
DTC143ECAT116 SOT-23 T116 Taping Spec

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DTC143ECAT116TR
DTC143ECAMGT116
DTC143ECAT116DKR
DTC143ECAT116CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
RN1401,LF
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
16981
TEILNUMMER
RN1401,LF-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
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Teilenummer
PDTC143ET,235
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cr
certification_015
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