PDTC143ET,235
Hersteller Produktnummer:

PDTC143ET,235

Product Overview

Hersteller:

NXP Semiconductors

Teilenummer:

PDTC143ET,235-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount SOT-23

Inventar:

380000 Stück Neu Original Auf Lager
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PDTC143ET,235 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Leistung - Max
250 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23
Basis-Produktnummer
PDTC143

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PDTC143ET,235 Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
NEXNEXPDTC143ET,235
2156-PDTC143ET,235-NEX

Umwelt- und Exportklassifizierung

HTSUS
0000.00.0000
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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