DTB114GCT116
Hersteller Produktnummer:

DTB114GCT116

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

DTB114GCT116-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SST3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SST3

Inventar:

4880 Stück Neu Original Auf Lager
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DTB114GCT116 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
56 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SST3
Basis-Produktnummer
DTB114

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DTB114GCT116 SOT-23 T116 Taping Spec

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DTB114GCMGT116
DTB114GCT116CT
DTB114GCT116TR
DTB114GCT116DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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