Hersteller Produktnummer:
NP35N04YUG-E1-AY
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
NP35N04YUG-E1-AY-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 35A (Tc) 1W (Ta), 77W (Tc) Surface Mount 8-HSON
Inventar:
5000 Stück Neu Original Auf Lager
12861388
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NP35N04YUG-E1-AY Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2850 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta), 77W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-HSON
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Basis-Produktnummer
NP35N04
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
NP35N04YUG-E1-AYTR
NP35N04YUGE1AY
NP35N04YUG-E1-AY-DG
-1161-NP35N04YUG-E1-AYCT
NP35N04YUG-E1-AYDKR
NP35N04YUG-E1-AYCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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