Hersteller Produktnummer:
NP100N04PUK-E1-AY
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
NP100N04PUK-E1-AY-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 176W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventar:
1600 Stück Neu Original Auf Lager
12861398
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
NP100N04PUK-E1-AY Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7050 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta), 176W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263
Paket / Koffer
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Basis-Produktnummer
NP100N04
Datenblatt & Dokumente
Produkt-Zeichnungen
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
-1161-NP100N04PUK-E1-AY
NP100N04PUK-E1-AY-DG
-1161-NP100N04PUK-E1-AYCT
559-NP100N04PUK-E1-AYTR
-1161-NP100N04PUK-E1-AYTR-DG
-1161-NP100N04PUK-E1-AYTR
-1161-NP100N04PUK-E1-AY-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRF7464
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO
MTM231232LBF
MOSFET P-CH 20V 3A SMINI3-G1-B
IRLR8256PBF
MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
