Hersteller Produktnummer:

IRF7464

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IRF7464-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 200 V 1.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventar:

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12861440

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IRF7464 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Infineon Technologies

Verpackung

-

Reihe

HEXFET®

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

200 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

1.2A (Ta)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

730mOhm @ 720mA, 10V

vgs(th) (max.) @ id

5.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

14 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

280 pF @ 25 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

8-SO

Paket / Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

95

Andere Namen

*IRF7464

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

RoHS non-compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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