DRA2514E0L
Hersteller Produktnummer:

DRA2514E0L

Product Overview

Hersteller:

Panasonic Electronic Components

Teilenummer:

DRA2514E0L-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A MINI3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 mW Surface Mount MINI3-G3-B

Inventar:

12924619
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DRA2514E0L Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Panasonic
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 100mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
MINI3-G3-B
Basis-Produktnummer
DRA2514

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DRA2514E0LTR
DRA2514E0L-DG
DRA2514E0LCT
DRA2514E0LDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
DTB114EKT146
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
3443
TEILNUMMER
DTB114EKT146-DG
Einheitspreis
0.09
ERSATZART
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Teilenummer
DTB114ECT116
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
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0.03
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