DDTB114EC-7-F
Hersteller Produktnummer:

DDTB114EC-7-F

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DDTB114EC-7-F-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3

Inventar:

6000 Stück Neu Original Auf Lager
12883982
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DDTB114EC-7-F Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
56 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Basis-Produktnummer
DDTB114

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DDTB114EC-7-F
HTML-Datenblatt
DDTB114EC-7-F-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-DDTB114EC-7-FCT
DDTB114EC-7-F-DG
31-DDTB114EC-7-FDKR
31-DDTB114EC-7-FTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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