Hersteller Produktnummer:
NTE2360
Product Overview
Hersteller:
NTE Electronics, Inc
Teilenummer:
NTE2360-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 50V TO92S
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 300 mW Through Hole TO-92S
Inventar:
780 Stück Neu Original Auf Lager
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NTE2360 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Verpackung
Bag
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
47 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
300 mW
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92S
Basis-Produktnummer
NTE23
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
2368-NTE2360
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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