Hersteller Produktnummer:
NVMTS4D3N15MC
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVMTS4D3N15MC-DG
Beschreibung:
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 00
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 21A (Ta), 165A (Tc) 5W (Ta), 292W (Tc) Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
Inventar:
2950 Stück Neu Original Auf Lager
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NVMTS4D3N15MC Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
21A (Ta), 165A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.45mOhm @ 95A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 521µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
79 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6514 pF @ 75 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5W (Ta), 292W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-DFNW (8.3x8.4)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
488-NVMTS4D3N15MCTR
488-NVMTS4D3N15MCDKR
488-NVMTS4D3N15MCCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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