Hersteller Produktnummer:
IPN60R600PFD7SATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPN60R600PFD7SATMA1-DG
Beschreibung:
CONSUMER PG-SOT223-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventar:
12965044
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPN60R600PFD7SATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ PFD7
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 80µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
344 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
7W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT223-4
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer
IPN60R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
448-IPN60R600PFD7SATMA1DKR
448-IPN60R600PFD7SATMA1TR
SP005353997
448-IPN60R600PFD7SATMA1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
TK370A60F,S4X(S
MOSFET N-CH
PJA3416AE_R1_00001
SOT-23, MOSFET
BSS123_R1_00001
SOT-23, MOSFET