TK370A60F,S4X(S
Hersteller Produktnummer:

TK370A60F,S4X(S

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

TK370A60F,S4X(S-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 15A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Inventar:

12965082
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TK370A60F,S4X(S Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
U-MOSIX
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
15A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
370mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 2.04mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2200 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220SIS
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
264-TK370A60F,S4X(S-DG
264-TK370A60F,S4X(S
264-TK370A60FS4X(S

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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