Hersteller Produktnummer:
NTJD4105CT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTJD4105CT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V, 8V 630mA, 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Inventar:
22900 Stück Neu Original Auf Lager
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NTJD4105CT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V, 8V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
630mA, 775mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
375mOhm @ 630mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
46pF @ 20V
Leistung - Max
270mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
SC-88/SC70-6/SOT-363
Basis-Produktnummer
NTJD4105
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
NTJD4105CT1GOS
NTJD4105CT1GOSTR
NTJD4105CT1GOSDKR
ONSONSNTJD4105CT1G
NTJD4105CT1GOSCT
NTJD4105CT1GOS-DG
2156-NTJD4105CT1G-OS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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